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BSO150N03MD G /MOSFET N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
BSO150N03MD G的规格信息
BSO150N03MD G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:9.3 A

Rds On-漏源导通电阻:12.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17 nC, 17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:OptiMOS 3M

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:12 S, 12 S

下降时间:4.2 ns, 4.2 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8 ns, 3.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.7 ns, 8.7 ns

典型接通延迟时间:7.3 ns, 7.3 ns

零件号别名:BSO150N03MDGXUMA1 BSO15N3MDGXT SP000447476

单位重量:540 mg

供应商BSO150N03MD G
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深圳市威雅利发展有限公司BSO150N03MD G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司BSO150N03MD G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司BSO150N03MD Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市佳威星科技有限公司BSO150N03MD G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市安富世纪电子有限公司BSO150N03MD G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市芯泽盛世科技有限公司BSO150N03MD G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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Arrow(艾睿)
BSO150N03MD GInfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH2500+:¥2.51
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
BSO150N03MD GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
2,500:¥3.3787
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立创商城
BSO150N03MD GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥7.09
200+:¥2.75
500+:¥2.65
1000+:¥2.6